| :: IBM rediseña las memorias no volátiles |
Las nuevas memorias STT-RAM desarrolladas por IBM y TDK aplican un nuevo concepto que supone una evolución de las memorias RAM no volátiles tradicionales.
(DT, AGENCIAS) Según News.com, las llamadas Spin Torque Transfer RAM (STT-RAM) se basan en la aplicación de corrientes eléctricas para cambiar la dirección del campo magnético.
Ese cambio causa un cambio en la resistencia, que a su vez se interpreta como un 0 o un 1.
El primer prototipo tardará cuatro años en aparecer y estará fabricado en tecnología de 65 nanómetros.
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